UMC与SuVolta 宣布联合开发28纳米低功耗工艺技术
UMC的28纳米 High-K/Metal Gate工艺运用SuVolta的 DDC技术指向移动应用于 Marketwired2013年7月23日/明通新闻专线/--台湾新竹, 加州洛斯特托斯 联华电子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) (UMC) 与SuVolta公司,今日宣告联合开发28纳米工艺。该项工艺将SuVolta的Deeply Depleted Channel (DDC)晶体管技术构建到UMC的28纳米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移动(HPM)工艺。SuVolta与UMC于是以密切合作利用DDC晶体管技术的优势来减少外泄功耗，并提升SRAM的低电压效能。
这两家公司还宣告该工艺技术将获取高度灵活性的使用方式： DDC PowerShrink低功耗平台选项：所有晶体管都用于DDC技术以构建最佳功耗与效能优势; DDC DesignBoost晶体管对调选项：用DDC晶体管代替现有设计中部分晶体管。该选项的典型应用于是用DDC晶体管代替外泄功耗大的晶体管来减少外泄，或者代替SRAM位单元晶体管从而提升效能并减少低于工作电压(Vmin) UMC先进设备技术部副总裁T.R.Yew回应：在接下来的几周或者几个月，我们期望看见与SuVolta联合开发的技术有较好的结果，从而更进一步检验DDC技术为UMC的28纳米 HKMG工艺带给的功耗与效能优势。通过将SuVolta的先进设备技术引进到我们的HKMG工艺上，我们将获取28纳米移动计算出来工艺平台，以完备我们现有的Poly-SiON及HKMG技术。 SuVolta总裁兼首席执行官Bruce McWilliams博士回应：UMC与SuVolta团队之后将DDC技术构建到UMC的28纳米工艺，获得杰出的进展。
通过合作，我们研发的工艺使得UMC客户的设计更容易重制。此外，SuVolta为业界获取自由选择，以替代便宜而简单的工艺技术，从而推展未来移动器件的发展。 关于UMC UMC (NYSE: UMC, TWSE: 2303)是全球半导体晶圆专工业界的领导者，获取先进设备工艺与晶圆生产服务，为IC产业各项主要应用于产品生产芯片。
UMC原始的解决方案能让芯片设计公司利用尖端技术的优势，还包括28纳米Poly-SiON技术、High-K/Metal Gate后闸极技术、混合信号/RFCMOS技术，以及其它涵括普遍的类似工艺技术。UMC现共计十座晶圆厂，其中包括坐落于台湾的Fab 12A与新加坡的Fab 12i等两座12英寸厂。Fab 12A厂第一至四期目前生产最先进设备至28纳米的客户产品，第五、六期已在修建阶段，第七、八期则已在规划当中。联电在全球大约有多达15,000名员工，在 台湾、中国大陆、欧洲、日本、韩国、新加坡及美国皆另设服务根据地。
UMC公司网站是：http://www.umc.com. 关于SuVolta公司 SuVolta公司致力于研发和许可应用于低功耗高效能芯片的可微缩半导体技术。SuVolta公司总部坐落于硅谷，并享有一批世界一流的工程师和科学家，在技术研发和创意方面具备历史悠久的历史，并推展半导体行业的发展。SuVolta公司取得了还包括Kleiner Perkins Caufield Byers (KPCB)，August Capital, NEA, Bright Capital, Northgate Capital以及DAG Ventures等主导风险投资公司的反对。
欲了解更加多信息，请求采访www.suvolta.com。 意欲更加多理解SuVolta的技术， 请求采访www.suvolta.com/technology/technology-overview/. 关于SuVolta的技术许可信息，参见www.suvolta.com/sales-inquiry/. Twitter我们：@http://twitter.com/SuVoltaInc 媒体联络: UMC Corporate Communications Richard Yu (886) 2-2658-9168 ext. 16951 richard_yu@umc.com SuVolta, Inc. Margo Westfall +1 (408) 429 6058 mwestfall@suvolta.com The Hoffman Agency Steve Jursa +1 (408) 975 3029 sjursa@hoffman.。
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